光磁记录介质、溅射用靶及溅射用靶的制造方法
公开
摘要
本发明涉及溅射用靶及其制造方法。本发明靶的主要组成含有稀土族金属(RE)及过渡金属(TM)，其金相组织由RE相、RE-TM合金相与TM相三相组成。本发明靶可与各种溅射装置配合，成膜时其组成分布和磁特性分布都很均匀。本发明靶含氧量低、填充密度高，即使在大气中长时间停放，溅射亦从开始就处于稳定，膜磁特性同样也从开始就处于稳定。利用本发明靶可制成由电介质膜与光磁记录膜构成的性能优良的光磁记录介质。
基本信息
专利标题 ：
光磁记录介质、溅射用靶及溅射用靶的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1033654A
申请号 ：
CN88106744.X
公开（公告）日 ：
1989-07-05
申请日 ：
1988-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
青山明下川渡聡山岸敏彦
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN88106744.X
主分类号 ：
C23C14/14
IPC分类号 ：
C23C14/14 C23C14/34 G11B5/84
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
法律状态
1989-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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