一种离子轰击减薄装置
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型公开了一种新的离子轰击减薄装置，它既可以选用氩离子束流轰击样品，又可以选用碘离子束流轰击样品，设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。利用这种装置能够制备更多种材料的薄膜样品，满足透射电子显微镜的观测需求。
基本信息
专利标题 ：
一种离子轰击减薄装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88206944.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-06-17
授权号 ：
CN88206944U
授权日 ：
1988-12-28
发明人 ：
王凤莲褚一鸣陆珉华
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市912信箱
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN88206944.6
主分类号 ：
G01N1/28
IPC分类号 ：
G01N1/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
1993-11-10 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-10-04 ：
授权
1988-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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