宽势阱半导体光电器件
驳回的专利申请
摘要
宽势阱半导体光电器件具有弱光效率高、光谱宽、动态范围广、输出大等特点。这种器件由n型半导体材料构成的衬底(1)、隔离沟道(2)、p型扩散层(3)、n+层(4)、氧化层(5)、n型扩散层(6)及分别与各层相连接的电极(7、8、9、)和滤色器(10)组成。为了获得更高的信噪比，n型衬底(1)可由带隔离结构的衬底替代。隔离结由在p型材料上生长n型外延层构成。
基本信息
专利标题 ：
宽势阱半导体光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1044548A
申请号 ：
CN89105386.7
公开（公告）日 ：
1990-08-08
申请日 ：
1989-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈钟谋林金庭蒋宝富李慧蕊徐昌文马云辛洪起陆鼎贤
申请人 ：
机械电子工业部南京第五十五研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市第一六○一信箱
代理机构 ：
江苏省专利服务中心
代理人 ：
高凤琴
优先权 ：
CN89105386.7
主分类号 ：
H01L31/06
IPC分类号 ：
H01L31/06
法律状态
1992-11-25 ：
驳回的专利申请
1991-03-20 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-08-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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