半导体集成电路中的内电压变换器
其他有关事项
摘要
半导体集成电路中的一种内电压变换器包括：一个振荡器、一个子电路、一个主电路和一个检测器，所述子电路包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路及一个功率部分，所述主电路包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路及一个功率部分。并联组成的多个电压变换级在操作时是可分开运行的，因而在提供备用电源的场合可减少不必要的电力消耗，同时还改进了内电源电压的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路中的内电压变换器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1048122A
申请号 ：
CN90104365.6
公开（公告）日 ：
1990-12-26
申请日 ：
1990-06-09
授权号 ：
CN1030020C
授权日 ：
1995-10-11
发明人 ：
闵东暄
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
南朝鲜京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90104365.6
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L23/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2002-04-24 ：
其他有关事项
1995-10-11 ：
授权
1990-12-26 ：
公开
1990-11-07 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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