光生伏特器件及其制造方法
其他有关事项
摘要
一种光生伏特器件包括：一具有被一绝缘层包围着的多个导电表面的基片，设置有覆盖所述那些导电表面的多个单晶层区域的、多个第一光生伏特单元，以及设置有一个覆盖着所述多个第一光生伏特单元的第二光生伏特单元。上述各单晶层区域是彼此隔离设置的。
基本信息
专利标题 ：
光生伏特器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1049426A
申请号 ：
CN90104925.5
公开（公告）日 ：
1991-02-20
申请日 ：
1990-06-16
授权号 ：
CN1023362C
授权日 ：
1993-12-29
发明人 ：
高林明治米原隆夫
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN90104925.5
主分类号 ：
H01L31/036
IPC分类号 ：
H01L31/036 H01L31/06 H01L31/18
法律状态
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-12-29 ：
授权
1992-04-01 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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