光器件、光通信设备及光器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及光器件、光通信设备及光器件的制造方法。一种光器件具有硅Si基板、接地电极、铌酸锂LN光波导和信号电极。接地电极是处于接地电位并且层叠在Si基板上的电极。LN光波导是由层叠在接地电极上的薄膜LN基板形成的光波导。信号电极是设置在与接地电极相对的位置处并且LN光波导插置于信号电极与接地电极之间，并且信号电极施加高频信号。
基本信息
专利标题 ：
光器件、光通信设备及光器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545663A
申请号 ：
CN202111221295.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杉山昌树
申请人 ：
富士通光器件株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙东喜
优先权 ：
CN202111221295.1
主分类号 ：
G02F1/03
IPC分类号 ：
G02F1/03 G02F1/035
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯或科尔效应的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/03
申请日 : 20211020
申请日 : 20211020
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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