光生伏打器件及其制造方法
被视为撤回的申请
摘要
本发明包括一种光生伏打器件及其制造方法，其中第一电极薄膜(12a、12b和12c)分别布置在基片(10)上，半导体光敏薄膜层(13)和第二电极薄膜(14)位于各第一电极薄膜上。通过腐蚀清除(13)的一部分，使相邻区域中的(12a)有部分显露，同时使第二电极薄膜(14a)与半导体光敏层(13a)的凹陷处接触部分(145a)显露，通过腐蚀将其清除，再用连接电极薄膜(6a)使(12a)的显露部分与(14a)进行电连接。
基本信息
专利标题 ：
光生伏打器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106598A
申请号 ：
CN85106598
公开（公告）日 ：
1987-03-18
申请日 ：
1985-08-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岸靖雄谷口裕幸
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府守口市京阪本通2丁目18番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
陈海红
优先权 ：
CN85106598
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/04
法律状态
1988-02-17 ：
被视为撤回的申请
1987-03-18 ：
公开
1986-02-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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