制备选择晶体生长基片的方法
专利权的终止
摘要
一种制备选择晶体生长基片的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。
基本信息
专利标题 ：
制备选择晶体生长基片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1049573A
申请号 ：
CN90104926.3
公开（公告）日 ：
1991-02-27
申请日 ：
1990-06-16
授权号 ：
CN1020025C
授权日 ：
1993-03-03
发明人 ：
西田彰志米原隆夫
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
范本国
优先权 ：
CN90104926.3
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2010-09-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005259471
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL901049263
申请日 : 19900616
授权公告日 : 19930303
号牌文件序号 : 101005259471
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL901049263
申请日 : 19900616
授权公告日 : 19930303
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-03-03 ：
授权
1992-04-01 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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