真空溅射系统阴极靶的粘接方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及直空溅射系统阴极靶的粘结方法，其工艺由清洗、溅射镀膜、焊接等步骤组成。该方法摆脱了靶托、靶通常必须在真空、高温条件下，进行焊接的工艺环境。克服了传统靶托、靶材质必须匹配的缺点，用廉价锡基低温焊锡代替贵金属焊接，不仅简化真空溅射阴极靶的粘接工艺，减少材质和能源的消耗，降低了成本，提高了效益，同时，增强了靶与靶托之间粘附性、导电性及导热性能。
基本信息
专利标题 ：
真空溅射系统阴极靶的粘接方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062178A
申请号 ：
CN90109471.4
公开（公告）日 ：
1992-06-24
申请日 ：
1990-11-29
授权号 ：
CN1029525C
授权日 ：
1995-08-16
发明人 ：
方光旦宋庆山陈光熊鑫恩
申请人 ：
中国科学院计算技术研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村科学院南路6号
代理机构 ：
中科专利代理有限公司
代理人 ：
王凤华
优先权 ：
CN90109471.4
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1997-01-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-08-16 ：
授权
1994-07-13 ：
实质审查请求的生效
1992-06-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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