真空多区磁控阴极溅射头
专利权的终止专利权有效期届满
摘要

一种真空多区磁控阴极溅射头,它包含有框、靶材,磁场密封盒帽盖,磁场组合体等主要元件。其中,框的内缘,留有凹槽,以套合靶材后,以螺丝固定于磁场密封盒帽盖上,而其固定螺丝孔,制成向外开口的双凹马蹄型螺丝槽,以方便于拆换靶材时的螺孔定位吊挂。可将溅射头内的磁场,排列组合成多区域,使其有更多的溅射面积,以充分利用靶材,达到提高效益的目的。

基本信息
专利标题 :
真空多区磁控阴极溅射头
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN90209634.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1990-06-29
授权号 :
CN2077869U
授权日 :
1991-05-29
发明人 :
黄恬静
申请人 :
黄恬静
申请人地址 :
台湾省
代理机构 :
中国专利代理有限公司
代理人 :
孙洁敏
优先权 :
CN90209634.6
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
1999-01-13 :
专利权的终止专利权有效期届满
1995-11-08 :
专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)
1992-02-12 :
授权
1991-05-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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