交变电场真空离子沉积方法及设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种交变电场真空离子沉积方法及设备，在工件上施加交变电场取代已知技术中的直流负偏压，使设备制造成本大幅度地降低，运行更稳定，沉积层质量更优良，可进行任意指定元素种类和成分的高速(0.1～0.5mm/h)，低温(≤560℃)离子表面合金化及离子镀膜，在工业大生产规模上取代渗碳、渗氮、多元共渗等化学热处理以及镀铬之类的某些电镀及镀氮化钛之类的真空离子镀膜。
基本信息
专利标题 ：
交变电场真空离子沉积方法及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1064508A
申请号 ：
CN91106640.3
公开（公告）日 ：
1992-09-16
申请日 ：
1991-02-28
授权号 ：
CN1031837C
授权日 ：
1996-05-22
发明人 ：
刘天相欧阳章西于锡裘
申请人 ：
湖南省机械研究所
申请人地址 ：
410007湖南省长沙市梓园路长塘里24号贺明
代理机构 ：
湖南省机械研究所专利事务所
代理人 ：
李于勋
优先权 ：
CN91106640.3
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2000-04-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-05-22 ：
授权
1992-11-04 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-09-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1031837C.PDF
PDF下载
2、
CN1064508A.PDF
PDF下载
