在顺序多层基片中集成淀积垂直电阻
专利申请的视为撤回
摘要
在包括有电路的基片材料(101)上形成的一种淀积垂直电阻，包括淀积在基片材料(101)上的第一树脂层(103)，并有对着与电路的特殊节点耦合的铜焊盘(102)的光刻开口部分。电阻性树脂(104)淀积在光刻出的开口部分中，并在开口部分周围形成预定的图形。在第一和导电性树脂层(104)上淀积第三树脂层(105)，此第三树脂层(105)形成电路图形。使铜材料(106)与电阻性树脂(104)耦合，从而形成位于电阻树脂(104)和下面的铜焊盘(102)上面的终端焊盘。
基本信息
专利标题 ：
在顺序多层基片中集成淀积垂直电阻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1071278A
申请号 ：
CN92110756.0
公开（公告）日 ：
1993-04-21
申请日 ：
1992-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沃农·L·布朗
申请人 ：
莫托罗拉公司
申请人地址 ：
美国伊利诺斯州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN92110756.0
主分类号 ：
H01L21/70
IPC分类号 ：
H01L21/70
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
法律状态
1994-11-16 ：
专利申请的视为撤回
1993-04-21 ：
公开
1993-04-07 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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