采用甲硅烷基化作用形成图形的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种形成图的方法，通过使用甲硅烷基化光刻胶膜使工艺简化，保持了多层光刻胶膜工艺所具有的分辨率提高效果，其中在基片上形成第一光刻胶层，并使基片表面部分甲硅烷基化、由此形成甲硅烷基化层。然后在甲硅烷基化层上形成第二光刻胶层，通过设有予定图形的光掩模对其曝光。显影之后形成第二光刻胶图形。随后以第二光刻胶图形作为蚀刻掩模，对甲硅烷基化层深蚀刻，形成甲硅烷基化图形。之后氧化甲硅烷基化图形，利用氧化的甲硅烷基化图形蚀刻第一光刻胶层，形成第一光刻胶图形。$＃!
基本信息
专利标题 ：
采用甲硅烷基化作用形成图形的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1089369A
申请号 ：
CN93112925.7
公开（公告）日 ：
1994-07-13
申请日 ：
1993-11-08
授权号 ：
CN1068442C
授权日 ：
2001-07-11
发明人 ：
金铁洪韩牛声
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张闽
优先权 ：
CN93112925.7
主分类号 ：
G03F7/075
IPC分类号 ：
G03F7/075 G03F7/095
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/075
含硅的化合物
法律状态
2010-01-06 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2001-07-11 ：
授权
1996-02-21 ：
实质审查请求的生效
1994-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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