形成微细图形的方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种形成半导体器件微细图形的方法，使用低加速电压的电子束(1—5KeV)和甲硅烷基化工艺方法。在衬底上涂敷抗蚀剂以形成抗蚀剂膜，用电子束将抗蚀剂上表面部分作选择性曝光，然后使曝了光的抗蚀剂膜进行选择性甲硅烷基化，使抗蚀剂膜上部形成甲硅烷基化层。用甲硅烷基化层作掩模腐蚀该抗蚀剂膜，以形成抗蚀剂图形。在干法腐蚀第一阶段，甲硅烷基化层的硅和氧等离子起化学反应，形成含SiOX的腐蚀掩模。这样，就使超微细图形(0.1μm)得以制造，电子束光刻的生产率提高了。
基本信息
专利标题 ：
形成微细图形的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1092554A
申请号 ：
CN93121123.9
公开（公告）日 ：
1994-09-21
申请日 ：
1993-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金鹤姜浩英
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93121123.9
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L21/30 G03F7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
1997-01-22 ：
专利申请的视为撤回
1994-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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