一种图形形成方法

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摘要

本发明提供一种图形形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成图形转移层，所述图形转移层包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层沿平行于所述衬底的方向交替排列延伸；在所述图形转移层上形成第一图形窗口，所述第一图形窗口至少暴露出部分所述第一材料层或至少暴露出部分所述第二材料层；沿所述第一图形窗口蚀刻所述第一材料层或所述第二材料层，在所述图形转移层中形成第二图形窗口；沿所述第二图形窗口，刻蚀所述衬底，图形化所述衬底。本发明优点是，实现缩小关键尺寸的目的，简化了制备关键尺寸的工艺，能够获得较小的关键尺寸。

基本信息

专利标题：

一种图形形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112768351A

申请号：

CN201911075391.2

公开（公告）日：

2021-05-07

申请日：

2019-11-06

授权号：

CN112768351B

授权日：

2022-06-10

发明人：

石夏雨

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201911075391.2

主分类号：

H01L21/308

IPC分类号：

H01L21/308