基于掩模层的光学性能在衬底上对准图形的方法及相关器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成材料层，在材料层上形成掩模层，以及将氮离子注入掩模层中，以减小其光吸收。在材料层和衬底之间可以形成对准键，以及可以通过注入的掩模层光学地确定对准键的位置。注入的掩模层可以被构图，以限定掩模图形，以及可以使用掩模图形作为刻蚀掩模，构图材料层。还论述了相关器件。
基本信息
专利标题 ：
基于掩模层的光学性能在衬底上对准图形的方法及相关器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1760754A
申请号 ：
CN200510108599.1
公开（公告）日 ：
2006-04-19
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
申壮浩李昔柱赵汉九禹相均
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510108599.1
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00 G03F1/08 G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2010-07-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003247250
IPC(主分类) : G03F 1/00
专利申请号 : 2005101085991
公开日 : 20060419
号牌文件序号 : 101003247250
IPC(主分类) : G03F 1/00
专利申请号 : 2005101085991
公开日 : 20060419
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2006-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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