一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法，包括以下步骤，第一步，测量使用到寿命的研磨垫沟槽剩余深度分布；第二步，将硅片运动轨迹所覆盖的研磨垫区域分成等分的几个区域；第三步，分别计算每个区域沟槽深度的平均值；第四步，计算沟槽加工时深度所需要的补正值；第五步，以原深度加第四步中得到的补正值作为沟槽的深度加工沟槽。本发明适用于化学机械抛光中研磨垫沟槽加工。

基本信息

专利标题：

一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1958236A

申请号：

CN200510110006.5

公开（公告）日：

2007-05-09

申请日：

2005-11-03

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李晗玲

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市川桥路1188号718

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510110006.5

主分类号：

B24B37/04

IPC分类号：

B24B37/04 H01L21/302

IPC结构图谱

B部——作业；运输

B24

磨削；抛光

B24B

用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给

B24B37/00

研磨机床或装置；附件

B24B37/04

适用于加工平面的

法律状态

2019-10-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : B24B 37/04
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20100811
终止日期 : 20181103

2014-01-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101684700176
IPC(主分类) : B24B 37/04
专利号 : ZL2005101100065
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市川桥路1188号718
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216

2010-08-11 ：

授权

2007-07-04 ：

实质审查的生效

2007-05-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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