改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法
授权
摘要
本发明提供一种改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法，具体为一种改善双镶嵌结构中蚀刻轮廓的方法，包括：提供一半导体基底，其中包括一介电绝缘层以及一覆盖其上的硬掩膜层；在硬掩膜层上形成一顺应性的非晶态碳层；形成一沟槽开口，至少延伸穿过非晶态碳层的厚度；形成一双镶嵌结构，其中包括一介层窗，延伸穿过硬掩膜层及穿过部分介电绝缘层，以及一沟槽形成在介层窗之上的，最后将双镶嵌开口以金属材料填满。本发明所述改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法，能有效预防介层窗侧壁上的损害、避免光致抗蚀剂及介层窗污染的问题，以及简化制程步骤以改善制造流程。
基本信息
专利标题 ：
改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1831643A
申请号 ：
CN200510114700.4
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈政谷季明华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510114700.4
主分类号 ：
G03F1/16
IPC分类号 ：
G03F1/16 H01L21/00 G03F1/08
法律状态
2009-10-14 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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