薄膜晶体管制造方法及基板结构
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管制造方法及基板结构，其中基板结构具有一基材及一自我对位光罩。该制造方法是通过将自我对位光罩制作在基材上，使其具有与基材同步热胀冷缩的特性，当提供一曝光源在基材非用以形成薄膜晶体管的一侧时，自我对位光罩可克服塑料基板非等距膨胀收缩而产生的偏位问题，且具有高准度的对位效果，因此可以准确的定义出薄膜晶体管源极及漏极位置。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管制造方法及基板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959943A
申请号 ：
CN200510117613.4
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄良莹王怡凯胡堂祥何家充
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200510117613.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/027
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2019-10-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20100317
终止日期 : 20181102
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20100317
终止日期 : 20181102
2010-03-17 ：
授权
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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