化学蒸镀装置
授权
摘要
本发明涉及一种化学蒸镀装置(CVD)，该装置包含：形成反应室的反应器，该反应室上部具有用于供应反应气体的气体流入孔；在所述反应室内用于支持作业物的支持台；用于从所述气体流入孔将反应气体喷射于所述作业物上的、具有喷嘴单元的喷头，该喷嘴单元设有从中心轴线到径向外侧流动长度逐渐变长的多个喷嘴孔。由此，本发明提供一种可以均匀地形成蒸镀膜的化学蒸镀装置。
基本信息
专利标题 ：
化学蒸镀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1891855A
申请号 ：
CN200510123337.2
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳光浚安德烈·尤莎科夫吴成泰郑敬锡郑和俊
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭鸿禧
优先权 ：
CN200510123337.2
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 B05B1/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2009-12-09 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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