半导体封装直接电性连接的基板结构
授权
摘要
本发明的半导体封装直接电性连接的基板结构包括：一具有至少一贯穿开孔的承载结构；至少一收纳于该承载结构开孔中的半导体芯片，其表面具有电性连接垫；至少一形成于该半导体芯片及承载结构上的线路增层结构，该线路增层结构中形成有导电结构以电性连接至该半导体芯片的电性连接垫；以及一局部设置于该承载结构下且封闭其开孔的散热片，使该散热片相接于半导体芯片；本发明的一种半导体封装直接电性连接的基板结构同时整合了半导体芯片及其承载件，通过该承载结构可提高其上电子元件的散热能力，通过控制接置面的平整性，提升了后续进行线路增层结构的制程与电性连接的可靠性，并增加了结构空间利用灵活性，提升电子装置电性质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装直接电性连接的基板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979834A
申请号 ：
CN200510125648.2
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许诗滨
申请人 ：
全懋精密科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200510125648.2
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2009-06-24 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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