一种晶片刻蚀工艺中的故障检测方法

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明涉及晶片刻蚀领域，本发明提供了一种晶片刻蚀工艺中的故障检测方法，通过对当前工艺的数据与标准工艺数据绘制曲线，利用刻蚀系统的先进工艺控制(APC)软件对待检测数据曲线图进行反色、45度角投影等处理得到直方图，通过分析比较待检测数据的直方图与标准曲线工艺直方图的灰度相似性，来对故障进行判断，通过对曲线图的延长线交叉点数量的判断来判断故障点位置，由于采用以上检测方法，与已有技术相比，极大地提高了晶片刻蚀机的自动化性能，进而提高了晶片刻蚀机的效率。

基本信息

专利标题：

一种晶片刻蚀工艺中的故障检测方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848373A

申请号：

CN200510126441.7

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-12-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

崔琳

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

王常风

优先权：

CN200510126441.7

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/67 G01M19/00 G01C11/00 G05B19/048 C23F1/12 C23F4/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2018-08-14 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 21/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号

2008-10-01 ：

授权

2006-12-13 ：

实质审查的生效

2006-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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