本发明涉及半导体刻蚀领域，本发明是一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，本发明的方法在试验的基础上，获得腔室温度和温控器之间的一个对应关系，也就是记录下，当腔室温度升高时，相应的需要将温控器的温度调节为多少，可以将硅片的温度保持在正常值范围内。将这些对应关系保存在一个数据库中，在工艺过程中，根据腔室温度的变化，查找数据库，实时的调整温控器的温度，从而控制硅片的温度；由于采用以上技术方案，系统能根据反应腔室温度的变化，实时查找数据库，实时调整温控器的温度，从而控制硅片的温度处于正常值，提高了晶片的刻蚀效果。