从基片的选择区域去除外来杂质的等离子处理设备和方法
专利权的终止
摘要
用于屏蔽从基片上的第一区域凸出的器件免受等离子体影响、同时用等离子体从基片上的不同区域去除外来杂质的设备和方法。所述设备包括至少一个凹陷，其被定位并定好尺寸以接收器件，以便器件被屏蔽而免受等离子体的影响。所述设备进一步包括窗口，通过所述窗口，等离子体去除外来杂质。所述方法通常包括去除外来杂质，同时屏蔽器件免受暴露于等离子体的影响。
基本信息
专利标题 ：
从基片的选择区域去除外来杂质的等离子处理设备和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815685A
申请号 ：
CN200510129527.5
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗伯特·康德拉少弗詹姆士·D·格蒂詹姆士·S·泰勒
申请人 ：
诺信公司
申请人地址 ：
美国俄亥俄州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林森
优先权 ：
CN200510129527.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/67 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2020-11-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20191205
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20191205
2009-03-11 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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