CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种CMOS图像传感器的微透镜的方法，消除了相邻微透镜的弯曲之间的变平间隙。多个滤色器层形成于半导体基板上，在所述半导体基板上形成光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连。在多个滤色器层上形成外敷层。在外敷层上形成微透镜。通过微透镜间的间隙所暴露的外敷层被蚀刻，以便在外敷层中的滤色器层之间的边界处形成间隙。执行流动工艺，使得微透镜的弯曲延伸到所述间隙。

基本信息

专利标题：

CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1797780A

申请号：

CN200510132045.5

公开（公告）日：

2006-07-05

申请日：

2005-12-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

黄俊

申请人：

东部亚南半导体株式会社

申请人地址：

韩国首尔

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200510132045.5

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H01L21/822