混合多位型非易失性存储器件及其操作方法
专利权的终止
摘要

本发明提供一种混合多位型非易失性存储器件和一种操作该存储器件的方法。所述混合型非易失性存储器件包括:第一存储单位,其包括存储数据的第一存储节点,所述第一存储节点利用第一方法存储数据;以及第二存储单位,其包括利用与所述第一方法不同的第二方法存储数据的第二存储节点,其中所述第一存储单位和所述第二存储单位共享源极和漏极。

基本信息
专利标题 :
混合多位型非易失性存储器件及其操作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1815741A
申请号 :
CN200510136255.1
公开(公告)日 :
2006-08-09
申请日 :
2005-12-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朴允童金元柱田尚勋
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
李晓舒
优先权 :
CN200510136255.1
主分类号 :
H01L27/105
IPC分类号 :
H01L27/105  H01L27/24  H01L27/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2012-03-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101196526602
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101362551
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20101226
2009-07-08 :
授权
2008-01-16 :
实质审查的生效
2006-08-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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