双列存储器模块的堆叠式DRAM存储器芯片

专利权的终止

摘要

双列存储器模块(DIMM)的DRAM存储器芯片具有：(a)预定数目(M)的堆叠式DRAM存储器管芯；(b)每个DRAM存储器管芯可通过相应的存储器队列信号(r)选择；(c)每个DRAM存储器管芯包括存储单元阵列；(d)由地址线构成的公用内部地址总线是为寻址存储单元设置的并连接到全部M个堆叠式DRAM存储器管芯；(e)由内部数据线构成的M个内部数据总线是为把数据写入堆叠式存储器管芯的存储单元和从其中读出数据而设置的；(f)设置集成再驱动装置，它包括：(f1)为驱动施加在DRAM存储器芯片的地址焊盘的外部地址信号而设置的用于所有内部地址线的缓冲区；和(f2)多路器/多路分离器，它把选定的DRAM存储器管芯的内部数据线切换到DRAM存储器芯片的数据焊盘。

基本信息

专利标题：

双列存储器模块的堆叠式DRAM存储器芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832165A

申请号：

CN200510137059.6

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2005-12-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·拉古拉姆

申请人：

因芬尼昂技术股份公司

申请人地址：

德国慕尼黑

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯

优先权：

CN200510137059.6

主分类号：

H01L25/065

IPC分类号：

H01L25/065 H01L23/52 G11C5/00 G11C5/06 G11C8/00 G11C7/00 H01L27/108 H01L21/8242

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L25/00

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

H01L25/03

所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件

H01L25/04

不具有单独容器的器件

H01L25/065

包含在H01L27/00组类型的器件

法律状态

2019-12-06 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 25/065
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20181212

2016-02-10 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101727821090
IPC(主分类) : H01L 25/065
专利号 : ZL2005101370596
登记生效日 : 20160121
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 奇梦达股份公司
变更后权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国瑙伊比贝尔格市

2012-10-31 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101457940038
IPC(主分类) : H01L 25/065
专利号 : ZL2005101370596
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更后权利人 : 奇梦达股份公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国慕尼黑
登记生效日 : 20120920

2012-10-31 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101457940037
IPC(主分类) : H01L 25/065
专利号 : ZL2005101370596
变更事项 : 专利权人
变更前 : 因芬尼昂技术股份公司
变更后 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 德国慕尼黑
变更后 : 德国慕尼黑

2008-12-24 ：

授权

2006-11-08 ：

实质审查的生效

2006-09-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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