具有变细的下本体部分的非平面器件及制造方法
专利权的终止
摘要
一种非平面半导体器件具有形成在衬底的绝缘层上的半导体本体。半导体本体具有与形成在绝缘层上的底表面相对的顶表面和一对横向相对的侧壁，其中在顶表面处的横向相对的侧壁之间的距离大于在底表面处的横向相对的侧壁之间的距离。在半导体本体的顶表面和半导体本体的侧壁上形成栅介质层。在半导体本体的顶表面和侧壁上的栅介质层上形成栅电极。在半导体本体中、在栅电极的相对侧上形成一对源极/漏极区。
基本信息
专利标题 ：
具有变细的下本体部分的非平面器件及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101032032A
申请号 ：
CN200580033161.X
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乌黛·沙阿布赖恩·多伊尔贾斯廷·布拉斯克罗伯特·召托马斯·莱特森
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200580033161.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2020-10-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20191013
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20191013
2009-04-22 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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