一种对通过利用接触面将第一晶片接合到第二晶片上并使第一晶片变薄而获得的结构进行修整的方法，其中，至少第一晶片或第二晶片被倒角，并因此暴露第一晶片的接触面的边缘，其中，修整涉及第一晶片，其特征在于，该方法包括以下步骤：a)从这些晶片中选择第二晶片，其具有对于计划在步骤b)中进行的化学蚀刻的耐受性以允许进行步骤b)，步骤b)中进行的化学蚀刻对于第一晶片是足够的；b)在将第一晶片接合到第二晶片上之后，对第一晶片的边缘进行化学蚀刻以便在第一晶片中形成完全支靠在第二晶片的接触面上并支承第一晶片的剩余部分的支座；c)使第一晶片变薄直至到达并侵犯支座，从而提供第一晶片的薄部。