用于单层沉积的方法和装置
专利权的终止
摘要
给出了一种包括多变量控制器的适应性实时热处理系统。该方法包括创建MLD处理系统的动态模型并在动态模型中结合虚拟传感器。该方法包括使用包括智能设置点、动态模型和/或虚拟传感器的工艺方案。
基本信息
专利标题 ：
用于单层沉积的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103137A
申请号 ：
CN200580046858.0
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萨恩吉夫·考沙尔帕迪普·帕恩戴伊杉岛健二
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200580046858.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20201219
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20201219
2010-05-26 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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