在晶片平面上制造SiC组件
授权
摘要
本发明涉及一种制造至少一个半导体元件组(3)、尤其SiC半导体元件组(3)的方法。本发明的特征在于，在基层上、尤其在晶片(7)上制造多个半导体元件(1、5)；测试各半导体元件(1、5)确定有工作能力的半导体元件(1)；组合至少一个包括多个有工作能力的半导体元件(1)的半导体元件组(3)，该半导体元件组构成相连的面结构；电并联半导体元件组(3)的有工作能力的半导体元件(1)。
基本信息
专利标题 ：
在晶片平面上制造SiC组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116179A
申请号 ：
CN200580047918.0
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卡尔·韦德纳罗伯特·温克
申请人 ：
西门子公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
谢强
优先权 ：
CN200580047918.0
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2012-05-02 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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