用于材料构图的硬掩模结构
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摘要
提供磁性器件制造的技术。在一个方面，对至少一种例如非挥发性材料构图的方法包括下面的步骤。硬掩模结构形成在将要构图的材料的至少一个表面上。硬掩模结构配置成具有最接近材料的基底，以及与基底相对的顶部。基底具有比硬掩模结构顶部的一个或多个横向尺寸大的一个或多个横向尺寸，使得基底的至少一部分横向延伸到顶部之外一段距离。硬掩模结构的顶部处于距离被刻蚀的材料比基底更大的垂直距离处。刻蚀材料。
基本信息
专利标题 ：
用于材料构图的硬掩模结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101300661A
申请号 ：
CN200580051001.8
公开（公告）日 ：
2008-11-05
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克尔·C.·盖蒂斯斯瓦南达·K.·卡纳卡萨巴帕西欧格尼·J.·奥沙利文
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200580051001.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 B05C1/00 B44C1/22
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-08-25 ：
授权
2008-12-31 ：
实质审查的生效
2008-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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