用于半导体模块中的热耗散的方法和装置

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种用于耗散半导体器件芯片中的热量的结构和方法。介电材料(例如聚酰亚胺)的第一层形成在散热器(一般是Si)的前面上。形成通过所述第一层的多个开孔；所述开孔被填充金属(一般是铜)，从而形成通过第一层延伸的金属柱。在器件芯片的背面上形成第二金属层。然后在键合处理中键合第一层和第二层从而形成键合层，其中所述金属柱接触所述第二层。因而所述键合层提供从芯片到散热器的导热通路。

基本信息

专利标题：

用于半导体模块中的热耗散的方法和装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828876A

申请号：

CN200610005125.9

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

H.·伯恩哈德·波格

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

马浩

优先权：

CN200610005125.9

主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/373

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/34

冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置

H01L23/36

为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器

H01L23/373

为便于冷却的器件材料选择

法律状态

2020-12-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/373
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20200112

2017-12-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/373
登记生效日 : 20171121
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-12-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/373
登记生效日 : 20171121
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2008-11-12 ：

授权

2006-10-25 ：

实质审查的生效

2006-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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