包括熔丝的半导体器件及能够抑制错误确定的其测试方法

专利权的终止

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摘要

一种用于测试半导体衬底上的熔丝是否被断开的方法，通过确定熔丝的电阻值是否大于第一阈值电阻值，来对熔丝执行第一测试操作。然后，通过确定熔丝的电阻值是否大于第二阈值电阻值，来对熔丝执行第二测试操作，其中第二阈值电阻值小于第一阈值电阻值。

基本信息

专利标题：

包括熔丝的半导体器件及能够抑制错误确定的其测试方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1818692A

申请号：

CN200610006479.5

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-02-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

上田岳洋

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧

优先权：

CN200610006479.5

主分类号：

G01R31/07

IPC分类号：

G01R31/07 G01R31/00 G01R31/26

法律状态

2015-04-01 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101603733654
IPC(主分类) : H01L 23/62
专利号 : ZL2006100064795
申请日 : 20060209
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20140209

2010-12-29 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057984801
IPC(主分类) : H01L 23/62
专利号 : ZL2006100064795
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本神奈川县

2009-07-15 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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