制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法
专利权的终止
摘要
本发明披露了一种制备基于掺杂的氧化锡的半导体陶瓷的方法，该方法是通过将PADO(前体合金直接氧化)型方法用于锡和掺杂金属的合金上，或者通过将PADO型方法用在锡上，而掺杂金属以氧化物形式加到要烧结的粉末中。
基本信息
专利标题 ：
制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1870185A
申请号 ：
CN200610006918.2
公开（公告）日 ：
2006-11-29
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈赫达德·哈桑扎德塞利娜·马查多－巴伊雷诺·梅斯拉蒙·普亚内
申请人 ：
阿海珐T&D有限公司
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN200610006918.2
主分类号 ：
H01C7/108
IPC分类号 ：
H01C7/108 H01C8/04 H01B1/08 C01G1/02 C04B35/01 C04B35/622
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/10
电压响应的，即压敏电阻器
H01C7/105
压敏电阻器芯体
H01C7/108
金属氧化物的
法律状态
2019-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01C 7/108
申请日 : 20060124
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20180124
申请日 : 20060124
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20180124
2010-12-08 ：
授权
2007-01-24 ：
实质审查的生效
2006-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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