利用PVD法的成膜方法以及利用于PVD法的成膜用靶
专利权的终止
摘要
一种成膜装置，具有：在其内部形成实施成膜处理的减压空间的处理容器；保持被实施所述成膜处理的基材的基材保持部；支持靶的靶支持部；向所述靶支持部施加电力，使得在所述减压空间中产生等离子体的电源装置，其中，所述靶在其表面上具有由粉体材料构成的粉体靶配置在其内周面上的凹部。通过使用所述靶进行成膜处理，可以提高成膜速度的面内均匀性，实现稳定的成膜。
基本信息
专利标题 ：
利用PVD法的成膜方法以及利用于PVD法的成膜用靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811009A
申请号 ：
CN200610006980.1
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山下英毅大熊崇文早田博山西齐木村忠司中上裕一
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610006980.1
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2014-03-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581061346
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100069801
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20130126
号牌文件序号 : 101581061346
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100069801
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20130126
2011-12-14 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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