利用桥层的多芯片模块的信号再分配
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

一种多芯片模块(MCM)包括第一集成电路和第二集成电路,在第二集成电路的至少一部分上方的桥层,导电连接在第一集成电路的一个或多个接触区域与桥层的一个或多个第一接触区域之间的一个或多个第一互连,以及导电连接在桥层的一个或多个第二接触区域与组件的一个或多个接触区域之间的一个或多个第二互连。第一集成电路的至少一部分位于第二集成电路的一部分上方。桥层的一个或多个实施例可以限定在桥层的一个或多个第一接触区域与桥层的一个或多个第二接触区域之间的一个或多个信号路径。桥层的一个或多个实施例可以限定桥层的一个或多个第一接触区域与第二集成电路的输入/输出(I/O)电路之间的一个或多个信号路径,并且可以限定第二集成电路的I/O电路与桥层的一个或多个第二接触区域之间的一个或多个信号路径,从而将信号从第一集成电路传输

基本信息
专利标题 :
利用桥层的多芯片模块的信号再分配
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1832121A
申请号 :
CN200610008923.7
公开(公告)日 :
2006-09-13
申请日 :
2006-01-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
T·-T·乐J·-H·区
申请人 :
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 :
德国慕尼黑
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
王岳
优先权 :
CN200610008923.7
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60  H01L25/065  H01L23/488  H01L23/50  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2011-01-12 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101061480408
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利申请号 : 2006100089237
公开日 : 20060913
2006-11-08 :
实质审查的生效
2006-09-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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