一种多芯片并联的半桥型IGBT模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。
基本信息
专利标题 ：
一种多芯片并联的半桥型IGBT模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022429352.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213459734U
授权日 ：
2021-06-15
发明人 ：
姚二现谢龙飞王豹子李宇柱
申请人 ：
南瑞联研半导体有限责任公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区诚信大道19号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
董建林
优先权 ：
CN202022429352.2
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/498
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2021-06-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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