多芯片并联的半桥型IGBT模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本模块能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。
基本信息
专利标题 ：
多芯片并联的半桥型IGBT模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920616357.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209896059U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
姚二现王立潘政薇李宇柱
申请人 ：
国电南瑞科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区诚信大道19号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏尚春
优先权 ：
CN201920616357.0
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/49 H01L23/495
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN209896059U.PDF
PDF下载
