多芯片并联的半桥型IGBT模块
授权
摘要
本实用新型公开了多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括壳体，所述壳体内腔的底部固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶端固定连接有导热板，所述壳体内腔底部的左侧固定连接有冷却箱，所述冷却箱的顶部与导热板相接触，所述导热板的顶部固定连接有模块本体，所述壳体内腔的右侧固定连接有风机，所述风机的出风管连通有分布管，所述分布管的左侧连通有散热罩，所述散热罩位于模块本体的右侧。本实用新型具备散热效果好的优点，解决了现有的多芯片并联的半桥型IGBT模块，在使用过程中，由于结构单一，通常不具有散热结构，导致模块在长时间工作时，容易产生高温，从而影响其使用寿命，且降低了半桥型IGBT模块适用性的问题。
基本信息
专利标题 ：
多芯片并联的半桥型IGBT模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021295858.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-05
授权号 ：
CN212850224U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
李志军朱永斌邱嘉龙何祖辉邱秀华
申请人 ：
浙江天毅半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层
代理机构 ：
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹玉清
优先权 ：
CN202021295858.2
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00 H05K7/20
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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