一种桥式缓冲层及双面散热倒装芯片功率模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种桥式缓冲层及双面散热倒装芯片功率模块，包括左缓冲层、右缓冲层、中间缓冲层，所述中间缓冲层设于左缓冲层和右缓冲层之间，其两端分别与左缓冲层、右缓冲层连接形成桥式结构。本实用新型通过采用桥式结构，可将热量通过侧边导出，且上下接触面处为圆形，可有效降低应力集中问题，提高双面散热模块可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种桥式缓冲层及双面散热倒装芯片功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122804551.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
CN216250703U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
朱文辉孙国辽汪炼成彭程陈华鹏刘校峰
申请人 ：
长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙高新开发区岳麓西大道1698号麓谷高层次人才创新创业园C栋二楼东
代理机构 ：
长沙轩荣专利代理有限公司
代理人 ：
齐超
优先权 ：
CN202122804551.1
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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