使用物理改性层的晶体管及其操作和制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种使用物理改性层的晶体管，一种操作该晶体管的方法，和一种制造该晶体管的方法。该晶体管包括在衬底上形成的绝缘层、第一和第二导电层图案、物理改性层、高介电层、和栅电极。第一和第二导电层图案在所述绝缘层上彼此分隔开。所述物理改性层形成在第一和第二导电层图案之间的绝缘层部分上。所述高介电层堆叠在物理改性层上，且所述栅电极形成在所述高介电层上。
基本信息
专利标题 ：
使用物理改性层的晶体管及其操作和制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832198A
申请号 ：
CN200610019859.2
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵重来柳寅儆赵成逸
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610019859.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/02 H01L21/336
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003338066
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2006100198592
公开日 : 20060913
号牌文件序号 : 101003338066
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2006100198592
公开日 : 20060913
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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