晶体管及其制造和操作方法
专利权的终止
摘要
提供了通过所施加的电压改变沟道物理性质的晶体管及其制造和操作方法。该晶体管包括在衬底上制备为线形状的第一导电层，依次堆叠在第一导电层上的相变层和第二导电层，在第二导电层上形成并分开预定空间的第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元，分别在第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元上形成的第三导电层和第四导电层，连接到第三导电层的字线，连接到第四导电层的位线，以及连接到字线的电压降低单元。
基本信息
专利标题 ：
晶体管及其制造和操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790744A
申请号 ：
CN200510124729.0
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵重来柳寅儆李明宰
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510124729.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2013-01-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101382117881
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101247290
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20111116
号牌文件序号 : 101382117881
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101247290
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20111116
2009-06-17 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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