深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种深紫外正性光刻胶及其成膜树脂,在一般以聚对羟基苯乙烯为基础的成膜树脂配方中引入了可以与之共聚合的含硅的丙烯酸酯类偶联剂,进行共聚合制备成一类新的成膜树脂。这种新的成膜树脂与光致酸、溶剂、以及其他添加剂组成光刻胶后,由于含硅丙烯酸酯类偶联剂单元的作用,增加了光刻胶与硅片之间的粘结性能。同时,也改善了抗干刻蚀的性能。即由于含硅的丙烯酸酯类偶联剂单元在成膜树脂中的存在,其硅片上的光刻胶胶膜在光刻过程中,在非曝光区,偶联剂中的Si-OR基团将减少胶膜在显影液中的溶解性,曝光区在光致酸形成的强酸作用下,偶联剂中Si-OR基团分解形成Si-OH而增加胶膜在碱性显影液中的溶解性,而这样就增加了曝光区与非曝光区对比度,而形成更加清晰的光刻图形。
基本信息
专利标题 :
深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1818782A
申请号 :
CN200610038787.6
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2006-03-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
冉瑞成沈吉庄学军
申请人 :
苏州华飞微电子材料有限公司
申请人地址 :
215011江苏省苏州市苏州新区灵岩街16号
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
马明渡
优先权 :
CN200610038787.6
主分类号 :
G03F7/033
IPC分类号 :
G03F7/033 G03F7/039 G03F7/004
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/027
具有碳—碳双键的非高分子的可光聚合的化合物,例如,乙烯化合物
G03F7/032
含有黏结剂的
G03F7/033
通过反应而得到的仅包含碳—碳不饱和键的黏结剂聚合物,例如,乙烯基聚合物
法律状态
2011-05-04 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101083896847
IPC(主分类) : G03F 7/033
专利申请号 : 2006100387876
公开日 : 20060816
号牌文件序号 : 101083896847
IPC(主分类) : G03F 7/033
专利申请号 : 2006100387876
公开日 : 20060816
2008-02-27 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更前权利人 : 江苏省苏州市苏州新区灵岩街16号 邮政编码 : 215011
变更后权利人 : 江苏省苏州市吴中区渡村镇腾飞路27号3202 邮政编码 : 215106
变更事项 : 地址
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 苏州华飞微电子材料有限公司
变更后权利人 : 苏州市成技新材料开发有限公司
登记生效日 : 20080125
变更后权利人 : 江苏省苏州市吴中区渡村镇腾飞路27号3202 邮政编码 : 215106
变更事项 : 地址
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 苏州华飞微电子材料有限公司
变更后权利人 : 苏州市成技新材料开发有限公司
登记生效日 : 20080125
2006-10-11 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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