半导体集成电路装置及其设计装置与程序

专利权的终止

摘要

输入在衬底表面具有分别供给形成有源元件的阱的电位的抽头、和导电型与阱相反的源极扩散区的单元，将单元的抽头转换成与源极扩散区相同的导电型，作为源极区，自由地将单元的阱电位设定为任意电位。当单元中存在抽头和源极的短路部，并且短路部为导电型与抽头相同的扩散区时，将短路部转换成与源极扩散区相同的导电型，作为源极区。

基本信息

专利标题：

半导体集成电路装置及其设计装置与程序

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832175A

申请号：

CN200610058988.2

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-03-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

山本宽

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陆锦华

优先权：

CN200610058988.2

主分类号：

H01L27/04

IPC分类号：

H01L27/04 H01L21/82 H01L21/8234 G06F17/50

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

法律状态

2020-03-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/04
申请日 : 20060309
授权公告日 : 20110907
终止日期 : 20190309

2017-12-22 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 27/04
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京

2011-09-07 ：

授权

2006-11-08 ：

实质审查的生效

2006-09-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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