一种半导体集成电路设计方法及装置
授权
摘要
本公开提供了一种半导体集成电路设计方法及装置，涉及半导体技术领域，该半导体集成电路设计方法包括基于原始版图，确定栅极结构的端部伸出其所在有源区的原始长度；根据预设规则和原始长度，重新确定栅极结构的端部伸出其所在有源区的修正长度；整合原始版图和修正长度，形成更新版图。本公开能自动定位到版图中待调整的栅极结构，并在满足设计规则检查距离要求条件下，对伸出有源区长度不足的栅极结构拉伸至所允许的最大值，从而有效避免移动版图中原有晶体管的位置，节约项目开发周期。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体集成电路设计方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113392617A
申请号 ：
CN202110783796.2
公开（公告）日 ：
2021-09-14
申请日 ：
2021-07-12
授权号 ：
CN113392617B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
陈川江赵康白黎唐力
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱影
优先权 ：
CN202110783796.2
主分类号 ：
G06F30/3953
IPC分类号 ：
G06F30/3953 G06F30/392 G06F115/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/3953
细节
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-10-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/3953
申请日 : 20210712
申请日 : 20210712
2021-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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