覆晶球格阵列封装构造中具有晶体配向(100)的应变硅晶圆
授权
摘要
本发明是有关于一种用于较佳半导体元件封装的方法与系统。在一例子中，一半导体元件封装构造包括一封装基板；至少一具有配向(100)的晶片，其设于该基板上并且该封装基板与该晶片之间有电性连接；以及底层填胶，其用来将该晶片接合至该封装基板，该底层填胶的胶层高度小于该晶片至少一边厚度的百分之六十。本发明所提供的这种改善FCBGA制程的方法，其引入一种新颖的硅晶圆晶体配向作为集成电路晶片基材，使得FCBGA半导体元件制造可以低成本增进电性、机械与热效能的更佳元件封装设计。
基本信息
专利标题 ：
覆晶球格阵列封装构造中具有晶体配向(100)的应变硅晶圆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848413A
申请号 ：
CN200610065351.6
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李新辉甘万达李建勋卢思维
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610065351.6
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/488 H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2008-11-26 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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