半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种堆积于沟槽侧壁的等离子体聚合膜的剥离性优异的半导体装置的制造方法。本发明半导体装置的制造方法是制造对半导体衬底进行沟槽加工的半导体装置的方法，该方法包括：交替地重复对表面设有蚀刻掩膜的半导体衬底的露出表面进行干法蚀刻，形成沟槽结构的蚀刻步骤、和堆积用于抑制沟槽侧壁蚀刻的保护膜的堆积步骤，从而对上述半导体衬底进行沟槽加工处理的工序；以及，将进行了上述沟槽加工处理后的上述半导体衬底立即在规定温度下加热处理的工序。例如在沟槽加工处理后，立即在300～500℃的温度范围内加热处理，然后进行等离子灰化灰化处理。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855379A
申请号 ：
CN200610067369.X
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
池上尚克
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京港区
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
邰红
优先权 ：
CN200610067369.X
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30 H01L21/3065 H01L21/324 B81C1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2012-06-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101262310035
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL200610067369X
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20110324
号牌文件序号 : 101262310035
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL200610067369X
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20110324
2009-07-15 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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