芯片压合座及其应用装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开一种适用于封装制程的芯片压合座及其应用装置，此芯片压合座至少包括一个陶瓷层。此陶瓷层借以承载要进行封装的芯片以及内引线，并且配合一压合头将芯片与内引线压合，其中陶瓷层是由80％(重量百分比)以上的氮化铝烧结体所构成。
基本信息
专利标题 ：
芯片压合座及其应用装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101034675A
申请号 ：
CN200610067627.4
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贺照纲
申请人 ：
宇富半导体材料科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市经国路一段678号7楼之1
代理机构 ：
上海新高专利商标代理有限公司
代理人 ：
楼仙英
优先权 ：
CN200610067627.4
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2020-01-10 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/603
登记生效日 : 20191223
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 宇富半导体材料科技股份有限公司
变更后权利人 : 鋐源光电科技（厦门）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹市经国路一段678号7楼之1
变更后权利人 : 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区建业楼B座701室
登记生效日 : 20191223
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 宇富半导体材料科技股份有限公司
变更后权利人 : 鋐源光电科技（厦门）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹市经国路一段678号7楼之1
变更后权利人 : 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区建业楼B座701室
2008-10-15 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101034675A.PDF
PDF下载
2、
CN100426480C.PDF
PDF下载
