NOR型混合多位非易失性存储器件及其操作方法
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摘要
本发明涉及NOR型混合多位非易失性存储(NVM)器件及其操作方法。该NOR型混合多位NVM器件包括排列成多个行和列的矩阵的单位单元。每个单位单元包括第一存储单元和第二存储单元，两者共享源极和漏极。排列在每行中的单位单元的第一存储单元共同连接于多根字线之一，排列在每列中的单位单元的漏极共同连接于多根位线之一。
基本信息
专利标题 ：
NOR型混合多位非易失性存储器件及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841754A
申请号 ：
CN200610067856.6
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金元柱朴允童
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610067856.6
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2010-12-15 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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